仙童IGBT全新进口场效应 FGH20N60UFD FGH20N60UFDTU
仙童IGBT全新进口场效应 FGH20N60UFD FGH20N60UFDTU
FGH20N60UFD FGH20N60UFDTU产品规格 参数
数据列表 FGH20N60UFD
产品相片 FGH20N60UFDTU
产品目录绘图 IGBT TO-247 Package
标准包装 150
类别 分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 场截止
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 600V
Vge, Ic时的最大Vce（开） 2.4V @ 15V, 20A
电流 - 集电极 (Ic)（最大） 40A
功率 - 最大 165W
输入类型 标准型
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
商设备封装 TO-247
包装 管件
产品目录页面 1610 (CN2011-ZH PDF)
300/盒，30/管
产品属性/技术参数：
品牌 FAIRCHILD/仙童 型号 FGH20N60UFD FGH20N60UFDTU 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-ARR/陈列组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 22（V） 夹断电压 22（V） 跨导 22（μS） 极间电容 22（pF） 低频噪声系数 22（dB） 最大漏极电流 22（mA） 最大耗散功率 22（mW）
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