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供应晶体管IRF6631/MX25U4033EM1I-12G存储器(图)

产品名称: IRF6631/MX25U4033EM1I-12G
单位价格: 2元/PCS
最小起订量: 10PCS
供货总量: 10000PCS
所 在 地:广东 深圳
晶体管IRF6631/MX25U4033EM1I-12G存储器:规格:晶体管IRF6631:FET 类型 N 沟道技术 MOSFET(金属氧化物)漏......

晶体管IRF6631/MX25U4033EM1I-12G存储器:

规格:

晶体管IRF6631:

FET 类型    N 沟道
技术    MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)    30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)    13A(Ta),57A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)    4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)    7.8 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)    2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)    18nC @ 4.5V
Vgs(最大值)    ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)    1450pF @ 15V
FET 功能    -
功率耗散(最大值)    2.2W(Ta),42W(Tc)
工作温度    -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型    表面贴装
供应商器件封装    DIRECTFET™ SQ
封装/外    DirectFET™ 等容 SQ

MX25U4033EM1I-12G存储器:

存储器类型    非易失
存储器格式    闪存
技术    FLASH - NOR
存储容量    4Mb (512K x 8)
时钟频率    80MHz
写周期时间 - 字,页    30µs,3ms
存储器接口    SPI
电压 - 电源    1.65 V ~ 2 V
工作温度    -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型    表面贴装
封装/外壳    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装    8-SOP

星际金华供应 【晶体管IRF6631/MX25U4033EM1I-12G存储器】全新原装正品现货,量大价优!

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产品属性/技术参数:
原厂标准

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联系人:陈小姐销售职员(小姐)  联系电话:86 0755 82530048  移动电话:13632800820  传真:86 0755 83957753
地址:广东 深圳 福田区振中路新亚洲国利大厦1239
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