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供应IRF9540N/IRFB260N/IRFB52N15晶体管(图)

产品名称: 晶体管
单位价格: 4元/PCS
最小起订量: 10PCS
供货总量: 10000PCS
所 在 地:广东 深圳
产品规格:IRF9540N:FET 类型 P 沟道技术 MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss) 100V电流 - 连续漏极(Id)(2......

产品规格:

IRF9540N:FET 类型    P 沟道
技术    MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)    100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)    23A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)    10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)    117 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)    4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)    110nC @ 10V
Vgs(最大值)    ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)    1450pF @ 25V
FET 功能    -
功率耗散(最大值)    3.1W(Ta),110W(Tc)
工作温度    -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型    表面贴装
供应商器件封装    D2PAK
封装/外    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接),TO-263AB

IRFB260N:
FET 类型    N 沟道
技术    MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)    200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)    56A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)    10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)    40 毫欧 @ 34A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)    4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)    220nC @ 10V
Vgs(最大值)    ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)    4220pF @ 25V
FET 功能    -
功率耗散(最大值)    380W(Tc)
工作温度    -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型    通孔
供应商器件封装    TO-220AB
封装/外壳    TO-220-3

IRFB52N15:

FET 类型    N 沟道
技术    MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)    150V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)    51A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)    10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)    32 毫欧 @ 36A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)    5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)    89nC @ 10V
Vgs(最大值)    ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)    2770pF @ 25V
FET 功能    -
功率耗散(最大值)    3.8W(Ta),230W(Tc)
工作温度    -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型    通孔
供应商器件封装    TO-220AB
封装/外壳    TO-220-3

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产品属性/技术参数:
原厂标准

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