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供应单项晶体管 IRFB9N60A/IRF9Z34N(图)

产品名称: IRFB9N60A/IRF9Z34N
单位价格: 7元/PCS
最小起订量: 10PCS
供货总量: 4000PCS
所 在 地:广东 深圳
【单项晶体管 IRFB9N60A/IRF9Z34N】: 产品规格参数: IRFB9N60A: FET 类型 N 沟道技术 MOSFET(金属氧化物)......

【单项晶体管 IRFB9N60A/IRF9Z34N】: 

产品规格参数: 
IRFB9N60A: FET 类型    N 沟道
技术    MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)    600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)    9.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)    10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)    750 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)    4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)    49nC @ 10V
Vgs(最大值)    ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)    1400pF @ 25V
FET 功能    -
功率耗散(最大值)    170W(Tc)
工作温度    -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型    通孔
供应商器件封装    TO-220AB
封装/外    TO-220-3

IRF9Z34N: FET 类型    P 沟道
技术    MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)    55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)    19A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)    10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)    100 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)    4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)    35nC @ 10V
Vgs(最大值)    ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)    620pF @ 25V
FET 功能    -
功率耗散(最大值)    3.8W(Ta),68W(Tc)
工作温度    -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型    表面贴装
供应商器件封装    D2PAK
封装/外壳    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

星际金华供应 单项晶体管 IRFB9N60A/IRF9Z34N 全新原装正品现货库存,质量上乘,价格优势! 

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产品属性/技术参数:
标准

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联系人:陈小姐销售职员(小姐)  联系电话:86 0755 82530048  移动电话:13632800820  传真:86 0755 83957753
地址:广东 深圳 福田区振中路新亚洲国利大厦1239
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