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供应CY7C2665KV18-550BZXI易失并联存储器(图)

CY7C2665KV18-550BZXI 易失并联存储器:

规格:

存储器类型 易失

存储器格式 SRAM

技术 SRAM - 同步,QDR II+

存储容量 144Mb (4M x 36)

时钟频率 550MHz

写周期时间 - 字,页 -

存储器接口 并联

电压 - 电源 1.7V ~ 1.9V

工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)

安装类型 表面贴装

封装/外 165-LBGA

供应商器件封装 165-FBGA(15x17)

描述:

是1.8 V同步流水线SRAM,配备QDR II +架构。 与QDR II架构类似,QDR II +架构由两个独立的端口组成:读取端口和用于访问存储器阵列的写入端口。

其他原装型号:

CY7C2665KV18-550BZXI
CY7C1514KV18-250BZXC
CY7C25652KV18-400BZI
CY14B116S-BZ25XI
CY14V116G7-BZ30XI
CY7C1460KV25-200BZXI
LSM6DSLTR
MC9S08QD2MSC
DAC7644E
MCIMX6Q7CVT08AD
SN74CBTLV16292VR
BQ24170RGYR

以上型号由星际金华原装正品供应,大量库存,价实货优,欲了解更多详情,欢迎致电联系!



产品属性/技术参数:
原厂标准

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