CY7C2665KV18-550BZXI 易失并联存储器：
规格：
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 同步，QDR II+
存储容量 144Mb （4M x 36）
时钟频率 550MHz
写周期时间 - 字，页 -
存储器接口 并联
电压 - 电源 1.7V ~ 1.9V
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 165-LBGA
供应商器件封装 165-FBGA（15x17）
描述：
是1.8 V同步流水线SRAM，配备QDR II +架构。 与QDR II架构类似，QDR II +架构由两个独立的端口组成：读取端口和用于访问存储器阵列的写入端口。
其他原装型号：
CY7C2665KV18-550BZXI
CY7C1514KV18-250BZXC
CY7C25652KV18-400BZI
CY14B116S-BZ25XI
CY14V116G7-BZ30XI
CY7C1460KV25-200BZXI
LSM6DSLTR
MC9S08QD2MSC
DAC7644E
MCIMX6Q7CVT08AD
SN74CBTLV16292VR
BQ24170RGYR
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产品属性/技术参数：
原厂标准
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